Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)

И. С. Шашкин, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, К. В. Бахвалов, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы температурные зависимости пороговой плотности тока и пороговой концентрации в полупроводниковых лазерах на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длины волн $\lambda$ = 1050–1070 нм). Показано, что в полупроводниковых лазерах при температурах выше комнатной температурная зависимость пороговой плотности тока резко усиливается, что обусловлено температурной делокализацией носителей заряда в волноводные слои лазерной гетероструктуры. Установлено, что резкое снижение температурной стабильности пороговой плотности тока с увеличением температуры коррелирует с совмещением положения уровня Ферми с дном зоны проводимости волноводного слоя лазерной гетероструктуры. Экспериментально показано, что увеличение энергетической глубины и числа квантовых ям в активной области полупроводникового лазера повышает температурную стабильность пороговой плотности тока. Показано, что характеристический параметр $T_0$ в диапазоне температур (-20)–(+70$^\circ$)C достигает величины 220 K.

Поступила в редакцию: 13.03.2012
Принята в печать: 20.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1211–1215

Реферативные базы данных:

•