Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)

И. С. Шашкин, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, М. Г. Растегаева, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длины волн $\lambda$ = 1010–1070 нм). Установлено, что в непрерывном режиме генерации основным механизмом насыщения ватт-амперной характеристики с ростом температуры активной области является процесс делокализации носителей заряда в волноводный слой. Экспериментально показано, что температурная делокализация носителей заряда зависит от энергетической глубины квантовой ямы активной области. Показано, что минимальные внутренние оптические потери при 140$^\circ$C достигаются в лазерных структурах с максимальной энергетической глубиной квантовой ямы активной области.

Поступила в редакцию: 13.03.2012
Принята в печать: 20.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1207–1210

Реферативные базы данных:

•