Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния

М. Е. Левинштейн^a, Т. Т. Мнацаканов^b, С. Н. Юрков^b, J. W. Palmour<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, 111250 Москва, Россия
^c CREE Inc., 4600 Silicon Dr., Durham NC 27703, USA

Аннотация: Развита простая адиабатическая модель включения и распространения включенного состояния в SiC-фототиристоре, позволяющая оценить перегрев структуры с учетом величины коммутируемого тока $I_{\mathrm{max}}$, скорости нарастания тока $dI/dt$, мощности/энергии используемого для коммутации ультрафиолетового источника света, площади, первоначально включаемой светом, и постоянной времени включения тиристора $\tau$. Обоснована применимость адиабатического приближения при оценке перегрева структур. Показано, что мгновенная максимальная плотность мощности приблизительно обратно пропорциональна площади первоначального включения тиристора. Полученные оценки показывают, что во избежание недопустимого перегрева структуры значение максимальной плотности тока при включении $j_{\mathrm{max}}$ не должно превышать $\sim$(2–3) $\sim$ 10$^4$ А/см$^2$. Принимая для оценки $j_{\mathrm{max}}\approx I_{\mathrm{max}}/\pi r^2_0\approx U_0/\pi r^2_0R_l$, можно для заданного напряжения, с которого включается структура, $U_0$ и выбранного сопротивления нагрузки $R_l$ оценить радиус оптического окна $r_0$.

Поступила в редакцию: 07.02.2012
Принята в печать: 12.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1201–1206

Реферативные базы данных:

•