Эта публикация цитируется в 4 статьях

Углеродные системы

О влиянии спонтанной поляризации SiC-подложки на буферный слой и квазисвободный однолистный графен

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассмотрены две задачи: о влиянии спонтанной поляризации SiC-подложки на энергию связи атомов кремния и углерода подложки с атомами углерода буферного слоя; о роли спонтанной поляризации SiC-подложки в допировании квазисвободного однолистного графена. Показано, что в первом случае спонтанная поляризация практически не влияет на энергию связи подложка–буферный слой. Во втором случае сильное качественное влияние спонтанной поляризации имеет место только тогда, когда уровень Ферми системы почти совпадает с точкой Дирака графена. Все оценки получены в рамках простых моделей. В качестве подложек рассматривались 6H-SiC$\{0001\}$ и 4H-SiC$\{0001\}$.

Поступила в редакцию: 07.02.2012
Принята в печать: 07.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1186–1189

Реферативные базы данных:

•