Эта публикация цитируется в 9 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Природа электронной составляющей термического фазового перехода в пленках VO$_2$

А. В. Ильинский^a, О. Е. Квашенкина^b, Е. Б. Шадрин<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом построения полной сетки частных петель гистерезиса и ступенчатого нагрева и охлаждения пленок диоксида ванадия установлено, что термический фазовый переход полупроводник–металл в диоксиде ванадия является многостадийным процессом. Показано, что переход состоит из двух различных по своей природе переходов: электронного и структурного. Оба перехода протекают одновременно и взаимно инициируют друг друга в широком температурном интервале. А именно в интервале 0–140$^\circ$C совершается непрерывный электронный переход, тогда как в интервале 20–80$^\circ$C совершается серия скачкообразных структурных фазовых превращений в нанокристаллитах пленки при различных фиксированных температурах. Температуры структурных превращений связаны с размерами нанокристаллитов. Сконструирована принципиально новая форма элементарной петли гистерезиса индивидуального нанокристаллита. Проанализированы свойства частных петель гистерезиса отражательной способности пленки VO$_2$, и на основе анализа выявлена и исследована электронная составляющая фазового перехода полупроводник–металл.

Поступила в редакцию: 21.02.2012
Принята в печать: 07.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1171–1185

Реферативные базы данных:

•