Эта публикация цитируется в 20 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом

С. С. Криштопенко^a, К. П. Калинин^a, В. И. Гавриленко^a, Ю. Г. Садофьев^b, M. Goiran<sup>c

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
^c Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses (LNCMI-T), CNRS UPR 3238 Université de Toulouse, 31400 Toulouse, France

Аннотация: C использованием 8-зонного $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ гамильтониана исследовано обменное усиление $g$-фактора квазичастиц в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом со спиновым расщеплением Рашбы. Показано, что в слабых магнитных полях учет спинового расщепления Рашбы приводит к значительному увеличению амплитуды осцилляций $g$-фактора квазичастиц, перенормированного обменным взаимодействием. Из анализа осцилляций Шубникова–де Гааза при температуре 250 мK определена величина расщепления Рашбы и $g$-фактора квазичастиц. Полученные экспериментальные значения находятся в хорошем согласии с теоретическими расчетами, выполненными с учетом асимметричного “встроенного” электрического поля в гетероструктурах InAs/AlSb.

Поступила в редакцию: 15.02.2012
Принята в печать: 28.02.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1163–1170

Реферативные базы данных:

•