Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Уточненная модель вольт-амперной характеристики фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами

В. Б. Куликов

АО "ЦНИИ "Циклон", 107497 Москва, Россия

Аннотация: Экспериментально исследованы температурные зависимости темнового тока фотодетекторов инфракрасного излучения на основе структур с квантовыми ямами. Установлено, что предэкспоненциальный множитель в аналитическом выражении для вольт-амперной характеристики детектора линейно зависит от температуры. На основании полученных результатов было сделано предположение, что температурная зависимость темнового тока детекторов определяется термогенерацией электронов в зону с двумерной плотностью состояний. Указанное предположение позволило предложить уточненную модель вольт-амперной характеристики, учитывающую особенности термогенерации носителей в зону с двумерной плотностью состояний, полевую зависимость термической энергии активации основного состояния в квантовой яме и дрейфовой скорости носителей в зоне проводимости в барьерах.

Поступила в редакцию: 01.02.2012
Принята в печать: 14.02.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1158–1162

Реферативные базы данных:

•