Эта публикация цитируется в 18 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdZnO/$p$-CdTe

В. В. Брус^a, М. И. Илащук^b, В. В. Хомяк^b, З. Д. Ковалюк^a, П. Д. Марьянчук^b, К. С. Ульяницкий<sup>b

a</sup> Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, 58001 Черновцы, Украина
^b Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: Изготовлены анизотипные поверхностно-барьерные гетеропереходы $n$-Cd$_{0.5}$Zn$_{0.5}$O/$p$-CdTe методом высокочастотного распыления тонкой пленки твердого раствора Cd$_{0.5}$Zn$_{0.5}$O на свежесколотую поверхность монокристаллического CdTe. Исследованы основные электрические свойства гетеропереходов и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм при прямом смещении, эмиссия Френкеля–Пула и туннелирование при обратном смещении. Также проанализировано влияние поверхностных электрически активных состояний на границе раздела гетероперехода и оценена их поверхностная концентрация: $N_{ss}\sim$ 10$^{14}$ см$^{-2}$.

Поступила в редакцию: 13.02.2012
Принята в печать: 28.02.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1152–1157

Реферативные базы данных:

•