Эта публикация цитируется в 19 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении слоев GaN

А. О. Захарьин, А. В. Бобылев, А. В. Андрианов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Сообщается об экспериментальном обнаружении и исследовании терагерцовой фотолюминесценции при стационарном, межзонном фотовозбуждении эпитаксиальных слоев $n$-GaN(Si). Свойства спектра терагерцового излучения, его зависимость от температуры и интенсивности фотовозбуждения свидетельствуют о том, что излучение возникает в результате захвата неравновесных электронов на заряженные доноры. При низких температурах в материале $n$-типа заряженные доноры могут образовываться в результате рекомбинации неравновесных дырок с электронами, локализованными на донорных центрах. Основной вклад в терагерцовую фотолюминесценцию дают $2P\to1S$ оптические переходы между первым возбужденным и основным состоянием доноров. Кроме того, в спектре терагерцового излучения проявляются оптические переходы электронов из состояний в зоне проводимости на основное состояние доноров, а также переходы на возбужденные состояния доноров.

Поступила в редакцию: 06.03.2012
Принята в печать: 22.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1135–1139

Реферативные базы данных:

•