Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$

И. В. Боднарь, В. В. Шаталова

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь

Аннотация: На монокристаллах соединений In$_2$S$_3$, CuIn$_5$S$_8$ и твердых растворах (In$_2$S$_3$)$_x$(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$, выращенных методом Бриджмена (вертикальный вариант), проведены исследования спектров пропускания в области края фундаментальной полосы поглощения при 80 и 295 K. По полученным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и твердых растворов на их основе, а также построены ее концентрационные зависимости. Показано, что ширина запрещенной зоны с параметром состава $x$ при 80 и 295 K изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.

Поступила в редакцию: 06.03.2012
Принята в печать: 12.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1122–1125

Реферативные базы данных:

•