Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF$_3$, в сильных электрических полях

А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова, В. З. Зейналов

Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованием вольт-амперных характеристик структуры Al-Se$_{95}$As$_5$ $\langle$EuF$_3\rangle$-Te установлено, что токопрохождение в нем при приложении к Te положительного потенциала осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственным зарядом, а при обратной полярности наблюдается вольт-амперная характеристика $N$-типа. Показано, что при напряженностях приложенного электрического поля, превышающих 10$^5$ В/см, в механизме токопрохождения в исследованных структурах преобладающую роль играют процессы термополевой ионизации нейтральных и отрицательно заряженных $U^-$-центров, а также процессы рекомбинации электронов и дырок, и захват носителей заряда на $U^-$-центры. Определены энергетическое положение и концентрация локальных состояний, соответствующих указанным центрам и характеризующих влияние электрического поля–длина активации. Установлено, что примеси EuF$_3$ в основном влияют на концентрацию локальных состояний.

Поступила в редакцию: 30.01.2012
Принята в печать: 07.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1114–1118

Реферативные базы данных:

•