Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co

В. А. Ромака^ab, P. Rogl^c, Ю. В. Стаднык^d, В. В. Ромака^b, E. K. Hlil^e, В. Я. Крайовский^b, А. М. Горынь<sup>d

a</sup> Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. С. Пидстригача НАН Украины, 79060 Львов, Украина
^b Национальный университет ``Львовская политехника'', 79013 Львов, Украина
^c Институт физической химии Венского университета, А-1090 Вена, Австрия
^d Львовский национальный университет им. И. Франко, 79005 Львов, Украина
^e Институт Нееля Национального центра научных исследований, 38042 Гренобль, Франция

Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические и кинетические характеристики полупроводника HfNi$_{1-x}$Co$_x$Sn, сильно легированного акцепторной примесью Co в диапазонах: $T$ = 80–1620 K и $N^{\mathrm{Co}}_A$ от 9.5 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ (при $x$ = 0.05) до 7.6 $\cdot$ 10$^{21}$ см$^{-3}$ (при $x$ = 0.40). Показано, что характер изменения значений энергии активации прыжковой проводимости $\varepsilon^\rho_3(x)$ и амплитуды модуляции зон непрерывных энергий $\varepsilon^\alpha_1(x)$ обусловлен появлением источника доноров в полупроводнике дырочного типа проводимости HfNi$_{1-x}$Co$_x$Sn. Установлено, что легирование $n$-HfNiSn акцепторной примесью Co сопровождается изменением степени компенсации полупроводника из-за одновременного генерирования как структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Ni атомами Co, так и донорной природы, при частичном занятии атомами Sn позиций атомов Ni. Обсуждение результатов ведется в рамках модели Шкловского–Эфроса сильно легированного и компенсированного полупроводника.

Поступила в редакцию: 30.01.2012
Принята в печать: 14.02.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1106–1113

Реферативные базы данных:

•