Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа, гистерезис и осцилляции на вольт-амперных характеристиках сверхвысокочастотных диодов

К. М. Алиев, И. К. Камилов, Х. О. Ибрагимов, Н. С. Абакарова

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия

Аннотация: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики сверхвысокочастотных диодов на постоянном токе при одновременном воздействии на них гармонического высокочастотного сигнала до 100 МГц большой амплитуды. На вольт-амперных характеристиках сверхвысокочастотных диодов обнаружены участки с отрицательным дифференциальным сопротивлением N-типа, гистерезис и осцилляции тока в зависимости от амплитуды и частоты высокочастотного сигнала. Проведен сравнительный анализ и обсуждены возможные механизмы обнаруженных явлений.

Поступила в редакцию: 13.12.2011
Принята в печать: 30.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:8, 1059–1065

Реферативные базы данных:

•