Эта публикация цитируется в 12 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов

М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Лантратов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложен и обоснован способ определения последовательного сопротивления, $R_s$, многопереходных солнечных элементов, использующий наличие максимума на зависимости эффективности от кратности концентрирования солнечного излучения, $\eta(X)$, или рабочего напряжения от фотогенерированного тока, $V_m(J_g)$. В работе использовано положение, состоящее в том, что в ограниченном, но практически значимом диапазоне фотогенерированных токов (вплоть до максимума $\eta$) последовательное сопротивление может быть представлено фиксированной величиной – линейной и не зависящей от $J_g$. Обосновано аналитически, что такое сопротивление может быть определено по формуле $R_s = (E/J_g)_{\eta=\mathrm{max}}$, где $E = AkT/q$; $A$, $J_g$ – локальные значения коэффициента идеальности и фотогенерированного тока при максимальном $\eta$ (или $V_m$). Установлено, что величина $R_s$, определенная этим методом, не зависит от спектрального состава падающего излучения, что экспериментально подтверждено при исследовании фотовольтаических характеристик трехпереходных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Метод пригоден как для многопереходных, так и для однопереходных фотоэлектрических преобразователей.

Поступила в редакцию: 13.02.2012
Принята в печать: 17.02.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:8, 1051–1058

Реферативные базы данных:

•