Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера

З. Н. Соколова^a, И. С. Тарасов^a, Л. В. Асрян<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24061, USA

Аннотация: Рассчитана ватт-амперная характеристика полупроводникового лазера с несколькими квантовыми ямами с учетом замедленного захвата носителей заряда из волноводной области в ямы. Показано, что увеличение числа квантовых ям является более эффективным способом улучшения мощностных характеристик лазера по сравнению с увеличением скорости захвата в каждую из ям. Так, использование двух квантовых ям в качестве активной области приводит к значительному увеличению внутренней квантовой эффективности стимулированного излучения и существенно большей линейности ватт-амперной характеристики лазера по сравнению с одноямной структурой. Использование же трех или более квантовых ям дает лишь незначительное улучшение мощностных характеристик лазера по сравнению с двухъямной структурой. Таким образом, с точки зрения высоких выходных мощностей и простоты роста двухъямная структура является наиболее оптимальной.

Поступила в редакцию: 01.02.2012
Принята в печать: 27.02.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:8, 1044–1050

Реферативные базы данных:

•