Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, А. М. Надточий, И. А. Словинский, М. В. Максимов, М. М. Кулагина, А. В. Савельев, Е. М. Аракчеева, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. А. Липовский, “Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 8,страницы 1063

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs

Н. В. Крыжановская^abc, А. Е. Жуков^abc, А. М. Надточий^ac, И. А. Словинский^ac, М. В. Максимов^ac, М. М. Кулагина^c, А. В. Савельев^ab, Е. М. Аракчеева^a, Ю. М. Задиранов^c, С. И. Трошков^c, А. А. Липовский^ab

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Cанкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В кольцевом микролазере диаметром 6 мкм с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs при оптической накачке достигнута лазерная генерация вплоть до 380 K на длине волны $>$ 1.3 мкм.

Поступила в редакцию: 26.01.2012
Принята в печать: 01.02.2012