Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме

А. Е. Жуков^a, Л. В. Асрян^b, Ю. М. Шерняков^c, М. В. Максимов^c, Ф. И. Зубов^a, Н. В. Крыжановская^a, K. Yvind^d, Е. С. Семенова<sup>d

a</sup> Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24061, USA
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, DK-2800, Denmark

Аннотация: Исследована температурная чувствительность плотности порогового тока лазеров на квантовой яме и проанализированы факторы, определяющие характеристическую температуру и ее зависимость от оптических потерь. Показано, что введение асимметричных потенциальных барьеров (по одному с каждой стороны от квантовой ямы), препятствующих появлению биполярной заселенности носителей в волноводной области, приводит к ослаблению температурных зависимостей плотности тока прозрачности и параметра насыщения усиления и как следствие к повышению характеристической температуры в лазерных диодах как с длинным, так и коротким резонатором.

Поступила в редакцию: 18.01.2012
Принята в печать: 23.01.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:8, 2017–1031

Реферативные базы данных:

•