Эта публикация цитируется в 18 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Резонансное отражение света периодической системой экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

В. В. Чалдышев^a, Е. В. Кунделев^b, Е. В. Никитина^c, А. Ю. Егоров^c, А. А. Горбацевич<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены исследования спектров оптического отражения от периодических структур с двумя квантовыми ямами в элементарной ячейке. Изучены зависимости брэгговского и экситон-поляритонного отражения от угла падения света, поляризации и температуры. Анализ данных зависимостей показал, что образец с 60 ячейками является хорошим распределенным брэгговским отражателем с коэффициентом отражения более 90% в максимуме спектральной полосы шириной 16 мэВ.

Поступила в редакцию: 28.02.2012
Принята в печать: 07.03.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:8, 1016–1019

Реферативные базы данных:

•