Эта публикация цитируется в 17 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Об импедансной спектроскопии структур с потенциальным барьером

В. В. Брус

Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, 58001 Черновцы, Украина

Аннотация: Проведен детальный анализ спектральных зависимостей действительной и мнимой компонент измеренного импеданса смоделированного кремниевого $p$–$n$-перехода в рамках общепринятой эквивалентной схемы (параллельная $R_dC_b$ цепочка и последовательное сопротивление $R_s$). Предложен простой способ определения истинного значения барьерной емкости структур с потенциальным барьером (при отсутствии поверхностных электрически активных состояний) на основе анализа спектральной зависимости мнимой части измеренного импеданса.

Поступила в редакцию: 11.01.2012
Принята в печать: 15.01.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:8, 1012–1015

Реферативные базы данных:

•