Е. А. Шевченко, В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N c различной морфологией”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 8,страницы 1022

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N c различной морфологией

Е. А. Шевченко, В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, А. А. Торопов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Оцениваются величины напряженности электрического поля в квантовых ямах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N, выращенных с использованием как трехмерного, так и планарного режимов роста буферных слоев методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Переход к трехмерному режиму роста приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции квантовой ямы и сдвигу линии фотолюминесценции в коротковолновую сторону, что объясняется ослаблением квантово-размерного эффекта Штарка вследствие дополнительной трехмерной локализации носителей в слое квантовой ямы. Эффект локализации предположительно связан со спонтанными модуляциями состава твердого раствора AlGaN, увеличенными вследствие трехмерного режима роста.

Поступила в редакцию: 30.01.2012
Принята в печать: 02.02.2012