Эта публикация цитируется в 6 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Совершенство поверхности кристаллов $p$-Si и радиационно-стимулированные изменения характеристик поверхностно-барьерных структур Bi–Si–Al

Б. В. Павлык, Д. П. Слободзян, А. С. Грыпа, Р. М. Лыс, М. О. Кушлык, И. А. Шикоряк, Р. И. Дидык

Львовский национальный университет им. И. Франко, 79000 Львов, Украина

Аннотация: Представлены результаты исследования радиационно-стимулированных изменений электрофизических характеристик поверхностно-барьерных структур на базе кристаллов $p$-Si с различным удельным сопротивлением (24, 10 Ом $\cdot$ см). Проведен анализ состояния поверхности исследуемых образцов с использованием атомно-силовой микроскопии. Показано, что в зависимости от дефектной структуры кремниевой подложки воздействие радиации приводит к эволюции структурных дефектов, изменению зарядового состояния уже существующих дефектов в структурах на базе “солнечного” кремния (24 Ом $\cdot$ см). В приповерхностном слое кристаллов КДБ-24 образуются дефекты пирамидальной формы, которые под действием рентгеновских лучей частично изменяют свою структуру.

Поступила в редакцию: 13.02.2012
Принята в печать: 17.02.2012

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:8, 993–997

Реферативные базы данных:

•