Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений

В. К. Еремин, Н. Н. Фадеева, Е. М. Вербицкая, Е. И. Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено исследование распределения потенциалов по VTS (VTS – Voltage Terminating Structure) кремниевых детекторов ядерных излучений, облученных нейтронами в диапазоне доз от 1 $\cdot$ 10$^{10}$ до 5 $\cdot$ 10$^{15}$ экв. нейтр./см$^2$, где VTS представляет собой систему плавающих кольцевых $p^+$–$n$-переходов. Показано, что изменение профиля электрического поля в объеме детектора при увеличении дозы облучения является определяющим фактором в распределении потенциалов по VTS. Установлены механизмы функционирования VTS: при дозах облучения менее 5 $\cdot$ 10$^{14}$ экв. нейтр./см$^2$ распределение потенциалов между кольцами осуществляется по механизму “прокола” межкольцевого промежутка, а при больших дозах контролируется токовым механизмом, определяемым плотностью протекающего в объеме детектора генерационного тока электронов и дырок. Предложенные механизмы функционирования VTS подтверждены экспериментально и путем моделирования.

Поступила в редакцию: 26.12.2011
Принята в печать: 30.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 948–956

Реферативные базы данных:

•