Эта публикация цитируется в 7 статьях

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Влияние состава на электрические свойства аморфных халькогенидов AgGe$_{1+x}$As$_{1-x}$S$_3$

О. Л. Хейфец, Э. Ф. Шакиров, Н. В. Мельникова, А. Л. Филиппов, Л. Л. Нугаева

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620000 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Работа посвящена синтезу и исследованию электрических свойств аморфных халькогенидов AgGe$_{1+x}$As$_{1-x}$S$_3$ ($x$ = 0.1, 0.4–0.6, 0.9) при низких температурах. Исследования проведены с целью получения материалов с улучшенными характеристиками (увеличение доли ионного переноса, снижение температур его появления, увеличение величины проводимости). Синтезированные соединения являются электронно-ионными проводниками. Увеличение доли германия приводит к повышению температуры начала ионного переноса и к уменьшению удельной электропроводности.

Поступила в редакцию: 13.12.2011
Принята в печать: 19.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 943–947

Реферативные базы данных:

•