Ю. Н. Мороков, М. П. Федорук, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, “Структуры с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge/Si для логических операций”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 7,страницы 960

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Структуры с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge/Si для логических операций

Ю. Н. Мороков^a, М. П. Федорук^a, А. В. Двуреченский^b, А. Ф. Зиновьева^b, А. В. Ненашев^b

^a Институт вычислительных технологий СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены результаты моделирования Ge/Si структур с вертикально совмещенными квантовыми точками для реализации базовых элементов квантового компьютера, ориентированных на работу с электронными спиновыми состояниями. Для моделирования полей упругих деформаций использовался метод сопряженных градиентов и атомистическая модель на основе потенциала Китинга. Расчеты проведены в кластерном приближении с использованием кластеров, содержащих около 3 миллионов атомов, принадлежащих 150 координационным сферам. Рассчитаны пространственные распределения плотности энергии деформации и потенциальной энергии электронов для разных долин, формирующих дно зоны проводимости кремния. Показано, что создание многослойных структур с вертикально совмещенными квантовыми точками позволяет создать глубокие потенциальные ямы для электронов с возможностью организации туннельной связи по вертикали.

Поступила в редакцию: 28.12.2011
Принята в печать: 13.01.2012