Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Изменения спектра пикосекундного стимулированного излучения GaAs с сопутствующими им признаками электрон-фононного взаимодействия

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия

Аннотация: При фиксированной энергии пикосекундного импульса накачки $W_{\mathrm{ex}}$, вызывающей собственное стимулированное излучение в GaAs, обнаружено немонотонное изменение ширины спектра излучения $\delta\hbar\omega_s$ при изменении энергии фотона накачки $\hbar\omega_{ex}$. При немонотонном изменении максимальная ширина спектров оказалась близкой к параметру $\Delta$, определяемому энергией продольного оптического (LO) фонона и массами электрона и тяжелой дырки. По мере усиления немонотонности зависимости $\delta\hbar\omega_s=f(\hbar\omega_{ex})$ проявлялась модуляция этой зависимости и зависимости амплитуды спектра от $\hbar\omega_{ex}$. Модуляция имела признаки связи с электрон-LO-фононным взаимодействием. Наблюдавшаяся эволюция модуляции не противоречила публиковавшимся предположениям о развитии и разрушении экранирования электрон-LO-фононного взаимодействия для плотной электронно-дырочной плазмы. Уровень потерь излучения в образце влиял на модуляцию и немонотонность.

Поступила в редакцию: 28.12.2011
Принята в печать: 30.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 921–928

Реферативные базы данных:

•