Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

О возможностях экспериментального определения величины спонтанной поляризации политипов карбида кремния

С. Ю. Давыдов^a, А. А. Лебедев^a, О. В. Посредник<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Рассматриваются гетеропереход вида NH-SiC/3C-SiC и гетероструктура типа NH-SiC/3C-SiC/NH-SiC ($N$ = 2, 4, 6, 8), сфабрикованные на основе политипов карбида кремния. Для гетеропереходов рассматриваются две возможности: контактной плоскостью политипа NH является Si-, либо С-плоскость. При этом энергии квазилокальных уровней, возникающих в квантовых ямах на интерфейсе, будут отличаться. Измерив различие этих энергий, можно определить величину спонтанной поляризации $P_{\mathrm{sp}}$, присущей политипу NH. При наличии поля спонтанной поляризации квазилокальные уровни в левой и правой квантовых ямах гетероструктуры имеют различные энергии. Показано, что если поместить гетероструктуру во внешнее электрическое поле, то можно, вычислив разность энергий этих уровней, определить величину спонтанной поляризации. Обсуждаются экспериментальные возможности определения $P_{\mathrm{sp}}$ по предложенному теоретическому сценарию.

Поступила в редакцию: 19.10.2011
Принята в печать: 26.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 913–916

Реферативные базы данных:

•