RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 7, страницы 922–924 (Mi phts8282)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние щелочных металлов на электронные свойства межзеренных границ на поверхности поликристаллического кремния

Л. О. Олимов

Андижанский государственный университет им. З.М. Бабура, 710000 Андижан, Узбекистан

Аннотация: Экспериментально изучено влияние щелочных металлов на дрейф носителей заряда межзеренных границ на поверхности поликристаллического кремния. Полученные результаты показывают, что увеличение концентрации легирующих примесей в процессе диффузии, десорбции, а также адсорбции щелочных металлов вдоль межзеренных границ приводит к росту потенциального барьера.

Поступила в редакцию: 19.09.2011
Принята в печать: 01.12.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 898–900

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026