Эта публикация цитируется в 7 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности проводимости интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированного донорной примесью Bi

В. А. Ромака^a, P. Rogl^b, Ю. В. Стаднык^c, E. K. Hlil^d, В. В. Ромака^e, А. М. Горынь<sup>c

a</sup> Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. С. Пидстригача НАН Украины, 79060 Львов, Украина
^b Институт физической химии Венского университета, А-1090 Вена, Австрия
^c Львовский национальный университет им. И. Франко, 79005 Львов, Украина
^d Институт Нееля Национального центра научных исследований, 38042 Гренобль, Франция
^e Национальный университет ``Львовская политехника''

Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированного донорной примесью Bi в диапазонах: $T$ = 80–400 K, $N^{\mathrm{Bi}}_D\approx$ 9.5 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$ ($x$ = 0.005)–1.9 $\cdot$ 10$^{21}$ см$^{-3}$ ($x$ = 0.10); $H\le$ 0.5 Тл. Установлено, что такое легирование генерирует в кристалле два типа структурных дефектов донорной природы, которые проявляются как на зависимости изменения параметра элементарной ячейки $a(x)$, так и на температурной зависимости удельного сопротивления $\ln\rho(1/T)$ ZrNiSn$_{1-x}$Bi$_x$, $x$ = 0.005. Показано, что ZrNiSn$_{1-x}$Bi$_x$ является новым и перспективным термоэлектрическим материалом, который по эффективности преобразования тепловой энергии в электрическую намного превышает $n$-ZrNiSn. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.

Поступила в редакцию: 21.11.2011
Принята в печать: 28.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 887–893

Реферативные базы данных:

•