Электронные свойства полупроводников

Обнаружение третьего уровня $(A^+)$ вакансии ртути в Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te

С. Г. Гасан-заде, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина

Аннотация: В соединениях Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te обнаружено существование ранее неизвестного мелкого акцепторного состояния (глубина залегания $\sim$1 мэВ), принадлежащего не примеси, а собственному дефекту полупроводникового кристалла. Из анализа экспериментальных данных сделан вывод, что это состояние является третьим уровнем вакансии ртути $V_{\mathrm{Hg}}$, возникающим благодаря захвату нейтральным акцептором дополнительной дырки (состояние $A^+$).

Поступила в редакцию: 15.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 882–886

Реферативные базы данных:

•