Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные свойства полупроводников

Диамагнитный экситон-поляритон в межзонной магнитооптике полупроводников

Р. П. Сейсян, Г. М. Савченко, Н. С. Аверкиев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Объяснена зависимость интегрального поглощения в образцах Al$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As от магнитного поля, наблюдаемая экспериментально при 1.7 K. Установлено, что эта зависимость представляет собой конкуренцию двух механизмов: рост интегрального поглощения, связанный с увеличением силы осциллятора вследствие сжатия волновой функции экситона магнитным полем, и падение, обусловленное магнитным вымораживанием заряженных рассеивающих центров. На основе анализа интегрального поглощения показано, что в рассмотренных образцах в магнитном поле возникают диамагнитные экситонные поляритоны.

Поступила в редакцию: 27.12.2011
Принята в печать: 30.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 873–877

Реферативные базы данных:

•