Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные свойства полупроводников

Резонансные состояния, тяжелые квазичастицы и термоэлектрическая эффективность материалов A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$

Л. В. Прокофьева^a, Ю. И. Равич^b, Д. А. Пшенай-Северин^a, П. П. Константинов^a, А. А. Шабалдин<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На твердых растворах на основе GeTe с примесями Bi и Pb получена высокая термоэлектрическая эффективность ZT с максимумом для состава Ge$_{0.9}$Pb$_{0.05}$Bi$_{0.05}$Te ZT = 1.5 при 670–800 K. Достижению такого результата способствовали уменьшение концентрации дырок, повышение коэффициента термоэдс и понижение теплопроводности решетки. При интерпретации экспериментальных данных основное внимание уделено особенностям энергетического спектра дырок в исходном соединении GeTe. Дальнейшее развитие получила модель резонансных состояний, в формировании которых участвуют атомы Ge и вакансии металла. Рассмотрены виды дефектов и их трансформация в зависимости от температуры и концентрации сверхстехиометрического Te. Экспериментальные результаты дают основание полагать, что взаимодействие локализованных и свободных носителей заряда с повышением температуры приводит к сильной гибридизации их состояний и образованию тяжелых квазичастиц – ситуации, во многом схожей с наблюдаемой в материалах с тяжелыми фермионами.

Поступила в редакцию: 26.12.2011
Принята в печать: 30.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 866–872

Реферативные базы данных:

•