Эта публикация цитируется в 9 статьях

Электронные свойства полупроводников

Роль собственных дефектов при расщеплении энергетических спектров носителей заряда в Ag$_2$Te

М. Б. Джафаров^a, Ф. Ф. Алиев^b, Р. А. Гасанова^b, А. А. Саддинова<sup>b

a</sup> Азербайджанский государственный аграрный университет, Az-2000 Гянджа, Азербайджан
^b Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Проведен расчет ширины запрещенной зоны и ее температурного коэффициента в зависимости от концентрации дефектов в теллуриде серебра с избытком Те и Ag. На основе полученных данных проанализирована корреляция между энергетическим спектром носителей заряда и дефектностью теллурида серебра. Установлено, что корреляция является отражением более общих фундаментальных связей между энергетической структурой и концентрацией дефектов в Ag$_2$Te, обусловленных ионами и вакансиями атомов серебра в подрешетке.

Поступила в редакцию: 30.11.2011
Принята в печать: 07.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:7, 861–865

Реферативные базы данных:

•