Н. В. Сибирёв, M. Tchernycheva, Г. Э. Цырлин, G. Patriarche, J. C. Harmand, В. Г. Дубровский, “Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6,страницы 857

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN

Н. В. Сибирёв^ab, M. Tchernycheva^acd, Г. Э. Цырлин^abef, G. Patriarche^d, J. C. Harmand^d, В. Г. Дубровский^abf

^a Академический университет, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
^c Institute d’Electronique Fondamentale, Universite Paris-Sud F91405 Orsay, France
^d CNRS-LPN, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France
^e Институт аналитического приборостроения РАН, 190103 Санкт-Петербург, Россия
^f Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены экспериментальные и теоретические исследования кинетики роста нитевидных нанокристаллов GaN на поверхности Si(111) в отсутствие катализатора. Безкаталитические нитевидные нанокристаллы GaN были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с AlN-вставками, что позволяет определить их вертикальную скорость роста. Развита модель формирования нитевидных нанокристаллов GaN и получено выражение для скорости роста. Показано, что зависимость скорости роста от диаметра в общем случае имеет минимум. Значение диаметра, при котором наблюдается минимум скорости роста, монотонно возрастает с увеличением диффузионного потока Ga с боковой поверхности.

Поступила в редакцию: 21.11.2011
Принята в печать: 28.11.2011