Н. П. Клочко, Г. С. Хрипунов, Ю. А. Мягченко, Е. Е. Мельничук, В. Р. Копач, Е. С. Клепикова, В. Н. Любов, А. В. Копач, “Управляемый рост одномерных наноструктур оксида цинка в режиме импульсного электролиза”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6,страницы 845

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Управляемый рост одномерных наноструктур оксида цинка в режиме импульсного электролиза

Н. П. Клочко^a, Г. С. Хрипунов^a, Ю. А. Мягченко^b, Е. Е. Мельничук^b, В. Р. Копач^a, Е. С. Клепикова^a, В. Н. Любов^a, А. В. Копач^a

^a Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 61002 Харьков, Украина
^b Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, 03680 Киев, Украина

Аннотация: Наноструктуры оксида цинка являются объектом исследований в области оптоэлектроники, гелиоэнергетики, наносенсорики и катализа. С целью осуществления управляемого роста одномерных субмикрометровых структур оксида цинка в режиме импульсного электроосаждения методами рентгеновской дифрактометрии, оптической спектрофотометрии и атомной силовой микроскопии определено влияние параметров импульсного электролиза на морфологию слоев ZnO, их оптические свойства, структурные и субструктурные характеристики. Выявлена возможность изготовления массивов нитевидных нанокристаллов ZnO различной геометрической формы, ориентированных перпендикулярно поверхности подложки, путем варьирования частоты импульсов потенциала катода-подложки.

Поступила в редакцию: 15.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011