Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов

А. В. Бобыль^a, С. Г. Конников^a, В. М. Устинов^a, М. В. Байдакова^a, Н. А. Малеев^a, Д. А. Саксеев^a, Р. В. Конакова^b, В. В. Миленин^b, И. В. Прокопенко<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина

Аннотация: Проведены исследования транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью носителей тока. Показано, что при увеличении дозы $\gamma$-облучения $\Phi$ их деградация включает следующую последовательность. 1) При $\Phi<$ 10$^7$ рад наблюдается разрушение приповерхностного слоя GaAs глубиной до 10 нм за счет уменьшения энергии диффузии собственных дефектов на величину более 0.2 эВ и, вероятно, атмосферного кислорода. 2) При $\Phi>$ 10$^7$ рад вблизи микродефектов, дислокаций формируются области размером более 1 мкм со значительным структурным беспорядком. 3) При $\Phi>$ 10$^8$ рад происходит деградация внутренних интерфейсов AlGaAs/InGaAs/GaAs и рабочего канала. Эффективным способом исследования процессов разрушении гетероструктур является использование комплекса методик структурной диагностики, изучение процессов радиационной и временной деградации в сочетании с теоретическим моделированием протекающих процессов.

Поступила в редакцию: 08.12.2011
Принята в печать: 19.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 814–824

Реферативные базы данных:

•