Аннотация:
Предлагается новая высокоэффективная конструкция полупроводниковых детекторов электронов средних энергий (1–50 кэВ) для применения в сканирующих электронных микроскопах. Расчеты функции отклика усовершенствованных детекторов и контрольные эксперименты показывают, что эффективность разработанных устройств повышается в среднем в 2 раза, что является существенным положительным фактором при работе современных электронных микроскопов в режиме малых токов и при низких энергиях первичных электронов.
Поступила в редакцию: 16.11.2011 Принята в печать: 28.11.2011