RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6, страницы 829–832 (Mi phts8268)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Функция отклика и оптимальная конфигурация полупроводниковых детекторов отраженных электронов для сканирующих электронных микроскопов

Э. И. Рауab, Н. А. Орликовскийc, Е. С. Ивановаa

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Институт проблем технологий микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
c Физико-технологический институт Российской академии наук, 117218 Россия

Аннотация: Предлагается новая высокоэффективная конструкция полупроводниковых детекторов электронов средних энергий (1–50 кэВ) для применения в сканирующих электронных микроскопах. Расчеты функции отклика усовершенствованных детекторов и контрольные эксперименты показывают, что эффективность разработанных устройств повышается в среднем в 2 раза, что является существенным положительным фактором при работе современных электронных микроскопов в режиме малых токов и при низких энергиях первичных электронов.

Поступила в редакцию: 16.11.2011
Принята в печать: 28.11.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 810–813

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026