А. В. Бабичев, В. Ю. Бутко, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6,страницы 815

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Углеродные системы

Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена

А. В. Бабичев^ab, В. Ю. Бутко^ab, М. С. Соболев^a, Е. В. Никитина^a, Н. В. Крыжановская^ab, А. Ю. Егоров^ab

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных работ по созданию светодиодных наногетероструктур твердых растворов GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ с новым типом прозрачного электрода на основе CVD-графена и исследованию их электролюминесцентных свойств. Продемонстрирована высокая стабильность длины волны излучения (около 2–3 нм) при увеличении температуры (от 12 до 60$^\circ$C) и инжекционном токе (вплоть до 1 А).

Поступила в редакцию: 06.12.2011
Принята в печать: 19.12.2011