Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фоточувствительные гетеропереходы Ox/GaAs: создание и свойства

В. Ю. Рудь^a, Ю. В. Рудь^b, Е. И. Теруков^b, Т. Н. Ушакова<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195257 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложен метод безвакуумного термического окисления кристаллов арсенида галлия в воздушной атмосфере и созданы первые фоточувствительные гетеропереходы Ox/$n$-GaAs. (Ox – естественный окисел). Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектры относительной квантовой эффективности новых структур. Обсуждаются особенности спектров фотоактивного поглощения полученных гетеропереходов. Установлены возможности применения безвакуумного термического окисления кристаллов GaAs в воздушной атмосфере для создания на их основе широкополосных гетерофотопреобразователей оптических излучений.

Поступила в редакцию: 22.11.2011
Принята в печать: 28.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 783–785

Реферативные базы данных:

•