Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические переходы в квантовых ямах на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te и их анализ с учетом особенностей зонной структуры

Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведен расчет положения уровней размерного квантования носителей заряда в прямоугольной квантовой яме в твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te в рамках четырехзонной модели Кейна, учитывающей подмешивание состояний электронов и трех видов дырок (тяжелых, легких и спин-отщепленных). Сравнение результатов расчета с экспериментальными данными по фотолюминесценции квантовых ям на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te показывает возможность регистрации оптических переходов с участием электронов и легких дырок.

Поступила в редакцию: 16.11.2011
Принята в печать: 17.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 773–778

Реферативные базы данных:

•