Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электронные состояния на границах раздела электролит/$n$-GaN и электролит/$n$-InGaN

М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы дифференциальные емкость и активная проводимость выпрямляющих контактов $n$-GaN и $n$-In$_x$Ga$_{1-x}$N ($x\approx$ 0.15) с электролитом (0.2 М водные растворы NaOH, NaCl или HCl). Обнаружено, что на границе раздела указанных полупроводников с раствором NaOH существуют электронные состояния с энергиями, соответствующими верхней половине запрещенной зоны полупроводника. Плотность и характеристическое время перезарядки состояний, дающих заметный вклад в дифференциальные емкость и активную проводимость при частотах зондирующего напряжения 0.3–1 кГц, увеличиваются при увеличении их энергии связи и в случае $n$-GaN для состояний с энергией на 0.15–0.3 эВ ниже дна зоны проводимости лежат соответственно в диапазонах 10$^{12}$–2 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$эВ$^{-1}$ и 10$^{-4}$–10$^{-2}$ с. Для контактов с растворами NaCl и HCl подобные состояния отсутствуют. Предполагается, что обнаруженные состояния связаны с адсорбцией гидроксильной группы.

Поступила в редакцию: 22.11.2011
Принята в печать: 28.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 755–758

Реферативные базы данных:

•