Е. П. Скипетров, А. Н. Голованов, А. В. Кнотько, Е. И. Слынько, В. Е. Слынько, “Глубокий уровень ванадия в разбавленных магнитных полупроводниках Pb$_{1-x-y}$Sn$_x$V$_y$Te”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6,страницы 761

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Электронные свойства полупроводников

Глубокий уровень ванадия в разбавленных магнитных полупроводниках Pb$_{1-x-y}$Sn$_x$V$_y$Te

Е. П. Скипетров^a, А. Н. Голованов^a, А. В. Кнотько^b, Е. И. Слынько^c, В. Е. Слынько^c

^a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
^b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
^c Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, 58001 Черновцы, Украина

Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение олова и ванадия по длине монокристаллических слитков и гальваномагнитные эффекты в слабых магнитных полях (4.2 $\le T\le$ 300 K, $\mathbf{B}\le$ 0.07 Тл) в твердых растворах Pb$_{1-x-y}$Sn$_x$V$_y$Te ($x$ = 0.05–0.21, $y\le$ 0.015). Показано, что все образцы однофазны, а концентрации олова и ванадия экспоненциально увеличиваются от начала к концу слитков. При легировании ванадием обнаружены уменьшение концентрации свободных дырок и переход металл-диэлектрик, связанные с возникновением глубокого примесного уровня ванадия в запрещенной зоне, перераспределением электронов между уровнем и валентной зоной и стабилизацией уровня Ферми примесным уровнем. Определена скорость движения уровня ванадия относительно дна зоны проводимости и предложена диаграмма перестройки электронной структуры Pb$_{1-x-y}$Sn$_x$V$_y$Te при изменении состава матрицы.

Поступила в редакцию: 08.12.2011
Принята в печать: 19.12.2011