Эта публикация цитируется в 7 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний $n$-GaAs(100)

Н. Н. Безрядин^a, Г. И. Котов^a, И. Н. Арсентьев^b, Ю. Н. Власов^a, А. А. Стародубцев<sup>a

a</sup> Воронежская государственная технологическая академия, 394000 Воронеж, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние предварительной подготовки подложек на спектр электронных состояний диодов Шоттки Au/$n$-GaAs(100). Обнаружены две полосы распределенных по энергии состояний вблизи границы раздела металл–полупроводник. Полоса состояний, проявляющаяся в спектрах при температурах 200–300 K, объясняется присутствием на поверхности кластеров элементарного As, который скапливается в ходе оксидообразования при выдержке образцов на воздухе. Разупорядочением поверхности в процессе селективного травления объясняется появление полосы состояний, проявляющейся в диапазоне 100–250 K. Отжиг в парах селена залечивает дефекты приповерхностной области и удаляет обе полосы состояний из спектров. Отожженные в Se$_2$ образцы содержат только набор уровней, характерных для объема GaAs.

Поступила в редакцию: 23.11.2011
Принята в печать: 08.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 736–740

Реферативные базы данных:

•