Электронные свойства полупроводников

О зависимости подвижности носителей тока от электрического поля в кристаллах моноселенида галлия

А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаев, Р. М. Рзаев

Бакинский государственный университет, AZ-1148 Баку, Азербайджан

Аннотация: При $T$ = 77–350 K, $E\le$ 2.5 $\cdot$ 10$^3$ В/см исследована зависимость подвижности носителей тока от электрического напряжения в чистых и легированных атомами гадолиния кристаллах моноселенида галлия с различным темновым удельным сопротивлением ($\rho_{\mathrm{d.r.}}\approx$ 10$^4$–10$^8$ Ом $\cdot$ см при 77 K) и уровнем легирования ($N$ = 10$^{-5}$, 10$^{-4}$, 10$^{-3}$, 10$^{-2}$, 10$^{-1}$ ат%).
Установлено, что в области $T\le$ 150 K в чистых высокоомных ($\rho_{\mathrm{d.r.}}\ge$ 10$^4$ Ом $\cdot$ см) и слабо легированных ($N\le$ 10$^{-2}$ ат%) кристаллах имеет место зависимость подвижности свободных носителей от приложенного к образцу электрического напряжения с $E\ge$ 10$^2$ В/см.
Выяснено, что эта зависимость не связана с разогревом носителей тока электрическим полем, а обусловлена стиранием дрейфовых барьеров за счет инжекции.

Поступила в редакцию: 17.10.2011
Принята в печать: 01.12.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 730–735

Реферативные базы данных:

•