П. В. Середин, А. В. Глотов, Э. П. Домашевская, А. С. Леньшин, М. С. Смирнов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6,страницы 739

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Электронные свойства полупроводников

Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)

П. В. Середин^a, А. В. Глотов^a, Э. П. Домашевская^a, А. С. Леньшин^a, М. С. Смирнов^a, И. Н. Арсентьев^b, Д. А. Винокуров^b, А. Л. Станкевич^b, И. С. Тарасов^b

^a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$, выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют наноразмерные объекты, имеющие форму островков, которые могут выстраиваться на поверхности твердого раствора в линейном направлении. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что новое соединение является фазой на основе твердого раствора Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$.

Поступила в редакцию: 23.11.2011
Принята в печать: 28.11.2011