Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние структурных особенностей поликристаллических пленок полупроводников на формирование эффекта аномального фотонапряжения. I. Механизм явления

Ш. Б. Атакулов^a, С. М. Зайнолобидинова^a, Г. А. Набиев^b, О. А. Тухтаматов<sup>a

a</sup> Ферганский государственный университет, 150100 Фергана, Узбекистан
^b Ферганский политехнический институт, 150107 Фергана, Узбекистан

Аннотация: Предложена модель поликристаллического полупроводника, соответствующая его реальной структуре, и на основе этой модели развит механизм аномальных фотовольтаических эффектов (возникновение аномального фотонапряжения, его зависимость от угла освещения, аномальный фотомагнитный эффект). Считается, что потенциальные барьеры, вносящие неоднородность в пространственное распределение фотоносителей, возникают вследствие захвата основных носителей заряда на поверхностные состояния границ кристаллитов. Эффект существенно зависит от амплитуды барьера: если изгиб зон у границ кристаллитов истощающий, эффект определяется пространственным разделением основных фотоносителей барьером, в противном случае (инверсионный изгиб зон) эффект формируется за счет разделения неосновных фотоносителей. В основе механизма лежат анизотропия поглощения света объемом поликристалла (истощающий изгиб зон) или геометрическая неоднородность пленок, вызванная косым напылением при получении (инверсионный изгиб зон). Причиной анизотропного поглощения света является отражение света границами кристаллитов.

Поступила в редакцию: 16.02.2011
Принята в печать: 21.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 708–713

Реферативные базы данных:

•