Эта публикация цитируется в 8 статьях

Электронные свойства полупроводников

Оптические переходы в MnGa$_2$Se$_4$

Б. Г. Тагиев, Т. Г. Керимова, О. Б. Тагиев, С. Г. Асадуллаева, И. А. Мамедова

Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: В интервале температур 110–295 K исследована зависимость коэффициента поглощения от энергии падающих фотонов в монокристалле MnGa$_2$Se$_4$. С использованием теоретико-группового анализа симметрии электронных состояний и сопоставления симметрии энергетического спектра MnGa$_2$Se$_4$ и его изоэлектронных аналогов сделан вывод о характере оптических переходов. Показано, что особенности при 2.31 и 2.45 эВ связаны с внутрицентровыми переходами $^6A_1^1\to^4T_2(^4G)$ и $^6A_1^2\to^4T_2(^4G)$. Состояние $^6A_1$ расщеплено кристаллическим полем.

Поступила в редакцию: 08.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 705–707

Реферативные базы данных:

•