Н. Д. Ильинская, А. Л. Закгейм, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь, А. Е. Черняков, “Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5,страницы 708

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C

Н. Д. Ильинская^a, А. Л. Закгейм^b, С. А. Карандашев^a, Б. А. Матвеев^a, В. И. Ратушный^c, М. А. Ременный^a, А. Ю. Рыбальченко^c, Н. М. Стусь^a, А. Е. Черняков^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), 346428 Новочеркасск, Россия

Аннотация: Проведен анализ вольт-амперных характеристик и температурных зависимостей динамического сопротивления при нулевом смещении для фотодиодов на основе InAsSb, учитывающий сгущение линий тока вблизи анода, с использованием экспериментальных данных о распределении интенсивности положительной и отрицательной люминесценции по поверхности диодов. Обсуждено влияние температуры на эффективность сбора фотогенерированных носителей в диодах, а также влияние конфигурации анода на токовую чувствительность и обнаружительную способность диодов.

Поступила в редакцию: 14.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011