RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 701–707 (Mi phts8246)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесенной неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на квантовых точках

В. В. Кореневa, А. В. Савельевab, А. Е. Жуковabc, А. В. Омельченкоab, М. В. Максимовac

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Получены аналитические выражения для формы и ширины спектров генерации лазера на квантовых точках при малом, по сравнению с шириной спектра, однородном уширении уровней энергии квантовых точек. Показано, что при комнатной температуре зависимость ширины спектра лазерной генерации от выходной мощности определяется двумя безразмерными параметрами: нормированной на температуру шириной распределения квантовых точек по энергии оптического перехода, а также отношением оптических потерь к максимальному усилению. Найдены оптимальные размеры активной области лазера для достижения заданной ширины спектра излучения при минимальном токе накачки. Проанализирована возможность использования многослойных структур с квантовыми точками для увеличения ширины спектра лазерной генерации. Показано, что использование нескольких рядов квантовых точек с преднамеренно варьируемым положением энергии оптического перехода приводит к уширению спектров генерации и приведены численные оценки.

Поступила в редакцию: 31.10.2011
Принята в печать: 07.11.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 684–689

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026