Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Нелинейная тепловая модель гетеропереходного светодиода

В. А. Сергеев, А. М. Ходаков

Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 432011 Ульяновск, Россия

Аннотация: Рассмотрена математическая нелинейная тепловая модель гетеропереходного светоизлучающего диода, позволяющая оценивать неоднородности распределений плотности тока и температуры в активной области гетероструктуры с учетом эффективности светодиода и температурной зависимости коэффициента теплопроводности структуры. Численно-аналитическим итерационным методом решена система уравнений, включающая решение нелинейного стационарного уравнения теплопроводности с зависящей от эффективности светодиода плотности преобразуемой в тепло электрической мощности и уравнения электротепловой обратной связи, при условии постоянства средней плотности тока по активной области структуры. Для мощных светоизлучающих диодов представлены результаты расчетных и экспериментальных исследований зависимости величины теплового сопротивления $p$–$n$-переход–корпус от прямого тока.

Поступила в редакцию: 28.04.2011
Принята в печать: 17.10.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 673–677

Реферативные базы данных:

•