Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Механизм терагерцовой фотопроводимости в полуметаллических квантовых ямах HgTe/CdHgTe

Ю. Б. Васильев^a, Н. Н. Михайлов^b, F. Gouider^c, Г. Ю. Васильева^d, G. Nachtwei<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^c Институт прикладной физики, 38106 Брауншвейг, Германия
^d Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены исследования терагерцовой фотопроводимости в магнитных полях в полуметаллических квантовых ямах HgTe/CdHgTe. Основной вклад в фотопроводимость дает сигнал, возникающий из-за разогрева электронного газа. Показано, что при выполнении условия циклотронного резонанса сигнал фотопроводимости состоит из циклотронно-резонансной и болометрической компонент, однако и в этом случае болометрический вклад является преобладающим.

Поступила в редакцию: 16.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:5, 655–658

Реферативные базы данных:

•